Ნაწილი ნომერი :
VP2450N3-G
მწარმოებელი :
Microchip Technology
აღწერა :
MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100mA (Tj)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
190pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
740mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-92-3
პაკეტი / საქმე :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)