IXYS - MWI50-12E7

KEY Part #: K6534281

[553ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MWI50-12E7
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs and Thististors - SCRs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS MWI50-12E7 electronic components. MWI50-12E7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MWI50-12E7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MWI50-12E7 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MWI50-12E7
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : NPT
    კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 90A
    ძალა - მაქსიმუმი : 350W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 50A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 800µA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.8nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : No
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : E2
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : E2

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • STGE50NB60HD

      STMicroelectronics

      IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.

    • APT30GF60JU3

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 58A 192W SOT227.

    • APT50GP60J

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 100A 329W SOT227.

    • APT40GP60JDQ2

      Microsemi Corporation

      IGBT 600V 86A 284W SOT227.

    • APTGF25H120T1G

      Microsemi Corporation

      POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1.

    • APTGF180H60G

      Microsemi Corporation

      POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6.