Microsemi Corporation - APT50GP60J

KEY Part #: K6534331

APT50GP60J ფასები (აშშ დოლარი) [4312ცალი საფონდო]

  • 16 pcs$14.50390

Ნაწილი ნომერი:
APT50GP60J
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT 600V 100A 329W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT50GP60J electronic components. APT50GP60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT50GP60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GP60J პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT50GP60J
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT 600V 100A 329W SOT227
სერიები : POWER MOS 7®
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : PT
კონფიგურაცია : Single
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 100A
ძალა - მაქსიმუმი : 329W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 50A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 500µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 5.7nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOTOP®

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.