IXYS - IXTY4N65X2

KEY Part #: K6394600

IXTY4N65X2 ფასები (აშშ დოლარი) [62346ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.69331
  • 50 pcs$0.68986

Ნაწილი ნომერი:
IXTY4N65X2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დენის მართვის მოდული, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTY4N65X2 electronic components. IXTY4N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY4N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY4N65X2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTY4N65X2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 455pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 80W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ