Infineon Technologies - IRF7329PBF

KEY Part #: K6522890

IRF7329PBF ფასები (აშშ დოლარი) [4348ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.63551
  • 10 pcs$0.56402
  • 100 pcs$0.44574
  • 500 pcs$0.32700
  • 1,000 pcs$0.25816

Ნაწილი ნომერი:
IRF7329PBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF7329PBF electronic components. IRF7329PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7329PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7329PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF7329PBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 57nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3450pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 2W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • SH8K3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8.

  • SI4804CDY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC.

  • SH8M3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8.