Vishay Siliconix - SI4943CDY-T1-GE3

KEY Part #: K6525171

SI4943CDY-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [107279ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.34478
  • 2,500 pcs$0.32302

Ნაწილი ნომერი:
SI4943CDY-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-GE3 electronic components. SI4943CDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4943CDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4943CDY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4943CDY-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 62nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1945pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 3.1W
ოპერაციული ტემპერატურა : -50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.