Ნაწილი ნომერი :
IXTN22N100L
აღწერა :
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
22A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 11A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
270nC @ 15V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
7050pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
700W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-227B
პაკეტი / საქმე :
SOT-227-4, miniBLOC