Vishay Siliconix - SQJB90EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525257

SQJB90EP-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [152759ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.24213
  • 3,000 pcs$0.20465

Ნაწილი ნომერი:
SQJB90EP-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQJB90EP-T1_GE3 electronic components. SQJB90EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJB90EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJB90EP-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQJB90EP-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1200pF @ 25V
ძალა - მაქსიმუმი : 48W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ