Ნაწილი ნომერი :
SQJB90EP-T1_GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
სერიები :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
25nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1200pF @ 25V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® SO-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SO-8 Dual