Nexperia USA Inc. - BUK9Y153-100E,115

KEY Part #: K6417029

BUK9Y153-100E,115 ფასები (აშშ დოლარი) [398488ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09282
  • 1,500 pcs$0.08934

Ნაწილი ნომერი:
BUK9Y153-100E,115
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK9Y153-100E,115 electronic components. BUK9Y153-100E,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9Y153-100E,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9Y153-100E,115 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BUK9Y153-100E,115
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 146 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6.8nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 716pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 37W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : LFPAK56, Power-SO8
პაკეტი / საქმე : SC-100, SOT-669

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.