Nexperia USA Inc. - BAT54J/ZLX

KEY Part #: K6440359

[3845ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BAT54J/ZLX
    მწარმოებელი:
    Nexperia USA Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC90.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Nexperia USA Inc. BAT54J/ZLX electronic components. BAT54J/ZLX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT54J/ZLX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BAT54J/ZLX პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BAT54J/ZLX
    მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC90
    სერიები : Automotive, AEC-Q101
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA (DC)
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 800mV @ 100mA
    სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 25V
    Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 1V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SC-90, SOD-323F
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-90
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IDB30E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

    • IDB30E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

    • ES2AHM3/5BT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

    • EGP20B-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

    • 1N4585GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

    • GP15M-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM