LL4448-GS08 ფასები (აშშ დოლარი) [3577712ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01034
- 2,500 pcs$0.00995
- 5,000 pcs$0.00898
- 12,500 pcs$0.00781
- 25,000 pcs$0.00703
- 62,500 pcs$0.00624
- 125,000 pcs$0.00520
- Ნაწილი ნომერი:
- LL4448-GS08
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 100mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4448-GS08 electronic components. LL4448-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4448-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LL4448-GS08 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
LL4448-GS08
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
150mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
720mV @ 5mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
8ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 75V
Capacitance @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOD-80 MiniMELF
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
ცხელი ნაწილები
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54
选择你的位置