Keystone Electronics - 4678

KEY Part #: K7359557

4678 ფასები (აშშ დოლარი) [779344ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04746
  • 10 pcs$0.04351
  • 50 pcs$0.02792
  • 100 pcs$0.02697
  • 250 pcs$0.02324
  • 1,000 pcs$0.01952
  • 2,500 pcs$0.01766
  • 5,000 pcs$0.01673

Ნაწილი ნომერი:
4678
მწარმოებელი:
Keystone Electronics
Დეტალური აღწერა:
INSULATOR CIRCULAR GEN PURP. Screws & Fasteners MICA WASHER
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: DIN Rail Channel, საყელურები - ბუსუსები, მხრები, კომპონენტის იზოლატორები, მონტაჟი, სივრცები, საყრდენები, საკისრები, დამაგრებითი შესაკრავები, საყელურები and სხვადასხვა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Keystone Electronics 4678 electronic components. 4678 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 4678, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

4678 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 4678
მწარმოებელი : Keystone Electronics
აღწერა : INSULATOR CIRCULAR GEN PURP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Insulator
ფორმის : Circular
გამოყენება : General Purpose
მასალა : Mica
ფერი : -
მახასიათებლები : -
სიგრძე : -
სიგანე : -
სიმაღლე : -
დიამეტრი - გარეთ : 0.375" (9.53mm) 3/8"
დიამეტრი - შიგნით : 0.120" (3.05mm)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.