Diodes Incorporated - DMT8012LPS-13

KEY Part #: K6396274

DMT8012LPS-13 ფასები (აშშ დოლარი) [191955ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.19269
  • 2,500 pcs$0.17054

Ნაწილი ნომერი:
DMT8012LPS-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMT8012LPS-13 electronic components. DMT8012LPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT8012LPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT8012LPS-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMT8012LPS-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta), 65A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1949pF @ 40V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.1W (Ta), 113W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI5060-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ