Ნაწილი ნომერი :
IXKP20N60C5M
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
30nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1520pF @ 100V
FET თვისება :
Super Junction
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220ABFP
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab