Keystone Electronics - 3390

KEY Part #: K7359574

3390 ფასები (აშშ დოლარი) [623475ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05537
  • 10 pcs$0.05300
  • 50 pcs$0.03385
  • 100 pcs$0.03271
  • 250 pcs$0.02818
  • 1,000 pcs$0.02367
  • 2,500 pcs$0.02142
  • 5,000 pcs$0.02029

Ნაწილი ნომერი:
3390
მწარმოებელი:
Keystone Electronics
Დეტალური აღწერა:
RIVET SEMI-TUBE 0.218 BRASS. Screws & Fasteners RIVET
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: თხილი, DIN Rail Channel, კაკვები, დაფის დისტანციურები, დგომა, საყელურები - ბუსუსები, მხრები, საკისრები, კლიპები, საკიდები, კაკვები and დაფა მხარს უჭერს ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Keystone Electronics 3390 electronic components. 3390 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3390, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

3390 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 3390
მწარმოებელი : Keystone Electronics
აღწერა : RIVET SEMI-TUBE 0.218 BRASS
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Semi-Tubular Rivet
Rivet დიამეტრი : 0.120" (3.05mm)
Rivet სიგრძე : 0.218" (5.54mm)
ხელმძღვანელის დიამეტრი : 0.218" (5.54mm)
სიმაღლის თავი : -
ხვრელის დიამეტრი : 0.128" (3.25mm)
Grip Range : -
მახასიათებლები : -
ფერი : -
მასალა : Brass

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.