Vishay Semiconductor Opto Division - VEMT2020X01

KEY Part #: K7359527

VEMT2020X01 ფასები (აშშ დოლარი) [370455ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10034
  • 6,000 pcs$0.09984
  • 12,000 pcs$0.09836
  • 30,000 pcs$0.09615

Ნაწილი ნომერი:
VEMT2020X01
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Opto Division
Დეტალური აღწერა:
PHOTOTRANSISTOR NPN GULLWING. Phototransistors Gullwing 790-970nm +/-15 deg
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: შეეხეთ სენსორებს, მოძრაობის სენსორები - Tilt კონცენტრატორები, მაგნიტური სენსორები - ხაზოვანი, კომპასი (ICS), პოზიციის სენსორები - კუთხე, ხაზოვანი პოზიციის გაზო, ოპტიკური სენსორები - Photointerupters - სათამაშო ტ, შოკი სენსორები, ოპტიკური სენსორები - Photointerupters - სათამაშო ტ and ოპტიკური სენსორები - ფოტოელექტრული, სამრეწველო ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Opto Division VEMT2020X01 electronic components. VEMT2020X01 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VEMT2020X01, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VEMT2020X01 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VEMT2020X01
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Opto Division
აღწერა : PHOTOTRANSISTOR NPN GULLWING
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 20V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 50mA
აქტუალური - მუქი (Id) (მაქსიმალური) : 100nA
ტალღის სიგრძე : 860nm
Ხედვის კუთხე : 30°
ძალა - მაქსიმუმი : 100mW
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
ორიენტაცია : Top View
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 100°C (TA)
პაკეტი / საქმე : 2-SMD, Gull Wing

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.