Vishay Siliconix - SQM120N06-06_GE3

KEY Part #: K6418146

SQM120N06-06_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [53134ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.73588

Ნაწილი ნომერი:
SQM120N06-06_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQM120N06-06_GE3 electronic components. SQM120N06-06_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM120N06-06_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120N06-06_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQM120N06-06_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 120A TO263
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6495pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 230W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263 (D²Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ