Taiwan Semiconductor Corporation - TSM3N90CH C5G

KEY Part #: K6401647

TSM3N90CH C5G ფასები (აშშ დოლარი) [64945ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.60206

Ნაწილი ნომერი:
TSM3N90CH C5G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CH C5G electronic components. TSM3N90CH C5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM3N90CH C5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM3N90CH C5G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TSM3N90CH C5G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 900V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 748pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 94W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-251 (IPAK)
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ