Ნაწილი ნომერი :
IRF7759L2TRPBF
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
75V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
26A (Ta), 375A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
300nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
12222pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.3W (Ta), 125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DIRECTFET L8
პაკეტი / საქმე :
DirectFET™ Isometric L8