Vishay Siliconix - SI7328DN-T1-E3

KEY Part #: K6395939

SI7328DN-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [89966ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.43679
  • 3,000 pcs$0.43461

Ნაწილი ნომერი:
SI7328DN-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7328DN-T1-E3 electronic components. SI7328DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7328DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7328DN-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7328DN-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 31.5nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2610pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.78W (Ta), 52W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ