Microsemi Corporation - APTSM120AM09CD3AG

KEY Part #: K6522079

APTSM120AM09CD3AG ფასები (აშშ დოლარი) [150ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$307.75101
  • 100 pcs$306.21991

Ნაწილი ნომერი:
APTSM120AM09CD3AG
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTSM120AM09CD3AG electronic components. APTSM120AM09CD3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTSM120AM09CD3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTSM120AM09CD3AG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTSM120AM09CD3AG
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Silicon Carbide (SiC)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V (1.2kV)
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 9mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1224nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 23000pF @ 1000V
ძალა - მაქსიმუმი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ