IXYS - IXTT2N300P3HV

KEY Part #: K6394701

IXTT2N300P3HV ფასები (აშშ დოლარი) [2527ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$18.85631
  • 10 pcs$17.44232
  • 100 pcs$14.89648

Ნაწილი ნომერი:
IXTT2N300P3HV
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTT2N300P3HV electronic components. IXTT2N300P3HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTT2N300P3HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT2N300P3HV პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTT2N300P3HV
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 3000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1890pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 520W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 155°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ