ON Semiconductor - FDD2670

KEY Part #: K6394609

FDD2670 ფასები (აშშ დოლარი) [94093ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.41763
  • 2,500 pcs$0.41555

Ნაწილი ნომერი:
FDD2670
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDD2670 electronic components. FDD2670 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD2670, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD2670 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDD2670
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1228pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.2W (Ta), 70W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ