Infineon Technologies - IRF7473PBF

KEY Part #: K6411516

IRF7473PBF ფასები (აშშ დოლარი) [13764ცალი საფონდო]

  • 95 pcs$0.55462

Ნაწილი ნომერი:
IRF7473PBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF7473PBF electronic components. IRF7473PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7473PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7473PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF7473PBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.9A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3180pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ