მწარმოებელი :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
აღწერა :
MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.58 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
120nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
7790pF @ 30V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
215W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-DFN-EP (5x6)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerSMD, Flat Leads