ON Semiconductor - NTHD3100CT3G

KEY Part #: K6524504

[3809ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    NTHD3100CT3G
    მწარმოებელი:
    ON Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in ON Semiconductor NTHD3100CT3G electronic components. NTHD3100CT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHD3100CT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTHD3100CT3G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : NTHD3100CT3G
    მწარმოებელი : ON Semiconductor
    აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N and P-Channel
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.9A, 3.2A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 165pF @ 10V
    ძალა - მაქსიმუმი : 1.1W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 8-SMD, Flat Lead
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ChipFET™

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ