ON Semiconductor - FDP070AN06A0

KEY Part #: K6419109

FDP070AN06A0 ფასები (აშშ დოლარი) [91746ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.42832
  • 800 pcs$0.42619

Ნაწილი ნომერი:
FDP070AN06A0
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - RF and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDP070AN06A0 electronic components. FDP070AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP070AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP070AN06A0 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDP070AN06A0
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 175W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ