Toshiba Semiconductor and Storage - TK7S10N1Z,LQ

KEY Part #: K6402065

TK7S10N1Z,LQ ფასები (აშშ დოლარი) [171284ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.23872
  • 2,000 pcs$0.23754

Ნაწილი ნომერი:
TK7S10N1Z,LQ
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z,LQ electronic components. TK7S10N1Z,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7S10N1Z,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7S10N1Z,LQ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK7S10N1Z,LQ
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
სერიები : U-MOSVIII-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 7.1nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 470pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 50W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DPAK+
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.