Vishay Siliconix - SQJ951EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525215

SQJ951EP-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [133641ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.27677
  • 3,000 pcs$0.23388

Ნაწილი ნომერი:
SQJ951EP-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ951EP-T1_GE3 electronic components. SQJ951EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ951EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ951EP-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQJ951EP-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 50nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1680pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 56W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J66TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC.