Panasonic Electronic Components - DB2130200L

KEY Part #: K6452827

DB2130200L ფასები (აშშ დოლარი) [842155ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04497
  • 3,000 pcs$0.04474
  • 6,000 pcs$0.04203
  • 15,000 pcs$0.03932
  • 30,000 pcs$0.03616

Ნაწილი ნომერი:
DB2130200L
მწარმოებელი:
Panasonic Electronic Components
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMINI2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Panasonic Electronic Components DB2130200L electronic components. DB2130200L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DB2130200L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DB2130200L პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DB2130200L
მწარმოებელი : Panasonic Electronic Components
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMINI2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 380mV @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 18ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1.2mA @ 30V
Capacitance @ Vr, F : 48pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 2-SMD, Flat Lead
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SMINI2-F4-B-B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 125°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • MMBD1401A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode

  • BAS21-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V

  • VS-15EWX06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 18ns

  • VS-4EWH02FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns

  • BAV19W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM