Microsemi Corporation - JANTXV1N1190R

KEY Part #: K6442948

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N1190R electronic components. JANTXV1N1190R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N1190R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N1190R

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/297

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard, Reverse Polarity

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 35A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 110A

სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 600V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount

პაკეტი / საქმე : DO-203AB, DO-5, Stud

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-5

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-8EWS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.
VS-8EWF12STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.
VS-8EWF06STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.

ცხელი ნაწილები