Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16DT-E3/45

KEY Part #: K6455874

FESB16DT-E3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [52836ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.71913
  • 10 pcs$0.64722
  • 25 pcs$0.61076
  • 100 pcs$0.52037
  • 250 pcs$0.48861
  • 500 pcs$0.42753
  • 1,000 pcs$0.33510
  • 2,500 pcs$0.31199
  • 5,000 pcs$0.30813

Ნაწილი ნომერი:
FESB16DT-E3/45
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 200 Volt 35ns
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16DT-E3/45 electronic components. FESB16DT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16DT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16DT-E3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FESB16DT-E3/45
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 16A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 975mV @ 16A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 175pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • BAT43W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

  • 1N4150W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO