1N4150W-HE3-08 ფასები (აშშ დოლარი) [2033073ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01920
- 3,000 pcs$0.01910
- 6,000 pcs$0.01661
- 15,000 pcs$0.01412
- 30,000 pcs$0.01329
- 75,000 pcs$0.01246
- 150,000 pcs$0.01107
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N4150W-HE3-08
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and დენის მართვის მოდული ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-08 electronic components. 1N4150W-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150W-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4150W-HE3-08 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N4150W-HE3-08
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
200mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 200mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
4ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SOD-123
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOD-123
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt
-
SL02-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1 Amp 20 Volt
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置