Vishay Semiconductor Diodes Division - SL02-GS08

KEY Part #: K6455797

SL02-GS08 ფასები (აშშ დოლარი) [809708ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04821
  • 3,000 pcs$0.04797
  • 6,000 pcs$0.04506
  • 15,000 pcs$0.04215
  • 30,000 pcs$0.03876

Ნაწილი ნომერი:
SL02-GS08
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1 Amp 20 Volt
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SL02-GS08 electronic components. SL02-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SL02-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SL02-GS08 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SL02-GS08
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB
სერიები : eSMP®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 20V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 420mV @ 1.1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 10ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 250µA @ 20V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-219AB (SMF)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 125°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns