IXYS - IXFR24N80P

KEY Part #: K6395646

IXFR24N80P ფასები (აშშ დოლარი) [10992ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.14484
  • 30 pcs$4.12422

Ნაწილი ნომერი:
IXFR24N80P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFR24N80P electronic components. IXFR24N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR24N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR24N80P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFR24N80P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
სერიები : HiPerFET™, PolarHT™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 208W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOPLUS247™
პაკეტი / საქმე : ISOPLUS247™

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ