ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43TR16128C-125KBLI-TR

KEY Part #: K936821

IS43TR16128C-125KBLI-TR ფასები (აშშ დოლარი) [15145ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.61966
  • 1,500 pcs$3.60165

Ნაწილი ნომერი:
IS43TR16128C-125KBLI-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA. DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), ლოგიკა - მულტივიბრატორი, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები - განაცხადის სპეციფიკ, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა, PMIC - მძღოლები, კონტროლერები and მონაცემთა შეძენა - ციფრული ანალოგური გადამყვანების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-125KBLI-TR electronic components. IS43TR16128C-125KBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43TR16128C-125KBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43TR16128C-125KBLI-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43TR16128C-125KBLI-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3
მეხსიერების ზომა : 2Gb (128M x 16)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.425V ~ 1.575V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 96-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 96-TWBGA (9x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8DIP.

  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8