Ნაწილი ნომერი :
IRLHM620TRPBF
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
26A (Ta), 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 50µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
78nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3620pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.7W (Ta), 37W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PQFN (3x3)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN