Ნაწილი ნომერი :
TK7A90E,S4X
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
900V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 700µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
32nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1350pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
45W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220SIS
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack