Ნაწილი ნომერი :
IPA65R650CEXKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 210µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
23nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
440pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
28W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220 Full Pack
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack