Toshiba Semiconductor and Storage - TK31E60X,S1X

KEY Part #: K6416745

TK31E60X,S1X ფასები (აშშ დოლარი) [18018ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.51640
  • 50 pcs$2.02220
  • 100 pcs$1.84248
  • 500 pcs$1.49195
  • 1,000 pcs$1.25827

Ნაწილი ნომერი:
TK31E60X,S1X
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X electronic components. TK31E60X,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31E60X,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31E60X,S1X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK31E60X,S1X
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
სერიები : DTMOSIV-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 30.8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.5mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET თვისება : Super Junction
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 230W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.