Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8002-H(TE12LQM

KEY Part #: K6406724

[8642ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    TPCC8002-H(TE12LQM
    მწარმოებელი:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H(TE12LQM electronic components. TPCC8002-H(TE12LQM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCC8002-H(TE12LQM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPCC8002-H(TE12LQM პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : TPCC8002-H(TE12LQM
    მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
    სერიები : U-MOSV-H
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2500pF @ 10V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 700mW (Ta), 30W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
    პაკეტი / საქმე : 8-PowerVDFN

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.