STMicroelectronics - STU9N60M2

KEY Part #: K6419562

STU9N60M2 ფასები (აშშ დოლარი) [119071ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.31063
  • 3,000 pcs$0.27652

Ნაწილი ნომერი:
STU9N60M2
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STU9N60M2 electronic components. STU9N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STU9N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STU9N60M2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STU9N60M2
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
სერიები : MDmesh™ II Plus
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 780 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±25V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 320pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 60W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : IPAK (TO-251)
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ