ON Semiconductor - FDMC008N08C

KEY Part #: K6396494

FDMC008N08C ფასები (აშშ დოლარი) [101592ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.38488

Ნაწილი ნომერი:
FDMC008N08C
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDMC008N08C electronic components. FDMC008N08C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC008N08C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC008N08C პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDMC008N08C
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.8 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 120µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2150pF @ 40V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 57W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ