Ნაწილი ნომერი :
DMP2007UFG-7
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
85nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4621pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerDI3333-8
პაკეტი / საქმე :
8-PowerWDFN