Ნაწილი ნომერი :
PMV213SN,215
მწარმოებელი :
Nexperia USA Inc.
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
1.9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
7nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
330pF @ 20V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
280mW (Tj)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-236AB
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3