DBL106G C1G ფასები (აშშ დოლარი) [198981ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.18588
- Ნაწილი ნომერი:
- DBL106G C1G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL. Bridge Rectifiers 1A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation DBL106G C1G electronic components. DBL106G C1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DBL106G C1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DBL106G C1G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
DBL106G C1G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ტექნოლოგია :
Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 15A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
2µA @ 800V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DBL
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
GBPC2502W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt
-
GBPC2510W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt
-
VS-GBPC3512W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp
-
TSS4B03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect
-
TS6KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif
-
TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif
ცხელი ნაწილები
- 684-5
- VUO192-16NO7
- M2550TB1600
- KBU606G T0G
- KBU1004G T0G
- KBU1002G T0G
- KBL404G T0G
- GBU4ML-5001M3/45
- GBL08-5300E3/51
- GBL06L-5303E3/51
- GBL06-3E3/51
- CBR1F-010
- KBP302G C2
- CBR1-020
- 2KBP04ML-6422E4/51
- F475R07W2H3B51BOMA1
- CBR6-040
- 3KBP04M-M4/51
- W005M
- CD2320-B11000
- MSD200-16
- VSIB460-E3/45
- G3SBA20-E3/45
- KBP005M-E4/51
- VSIB440-E3/45
- 3KBP01M-E4/51
- RS507-G
- EFG15G
- VUO70-08NO7
- VUC25-14GO2
- VUB33-06P1
- KBU4D
- 2KBP01M
- RS406L-BP
- MB1510W-BP
- EFE13F
- EDF1AS/27
- MB88
- GBJ1504
- 2KBP02-BP
选择你的位置