Vishay Semiconductor Diodes Division - GBL06-3E3/51

KEY Part #: K6541148

[12471ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    GBL06-3E3/51
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBL06-3E3/51 electronic components. GBL06-3E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBL06-3E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBL06-3E3/51 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : GBL06-3E3/51
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Single Phase
    ტექნოლოგია : Standard
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 4A
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBL
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBL

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • KBP408G-BP

      Micro Commercial Co

      BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBP. Bridge Rectifiers 4A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

    • DB107-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB. Bridge Rectifiers VR=1000V, IO=1A

    • DF204S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DFS. Bridge Rectifiers DFS GPP 2A 400V Rect. Bridge Diode

    • CPC7556N

      IXYS Integrated Circuits Division

      BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

    • CPC7557NTR

      IXYS Integrated Circuits Division

      BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

    • CPC7557N

      IXYS Integrated Circuits Division

      BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.