თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - ხიდის გასწორება
  5. KBPM306G

GeneSiC Semiconductor - KBPM306G

KEY Part #: K6541580

[12328ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    KBPM306G
    მწარმოებელი:
    GeneSiC Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in GeneSiC Semiconductor KBPM306G electronic components. KBPM306G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KBPM306G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    KBPM306G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : KBPM306G
    მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
    აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Single Phase
    ტექნოლოგია : Standard
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 3A
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 50V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 4-SIP, KBPM
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBPM
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • MBL106S-M3/I

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A 4SMD.

    • DBA500G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A.

    • DBA40G-K20

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA40G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA40G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA20G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A.

    ცხელი ნაწილები