Taiwan Semiconductor Corporation - KBP302G C2

KEY Part #: K6541200

[12454ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    KBP302G C2
    მწარმოებელი:
    Taiwan Semiconductor Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - JFET ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation KBP302G C2 electronic components. KBP302G C2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KBP302G C2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    KBP302G C2 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : KBP302G C2
    მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
    აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A KBP
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Single Phase
    ტექნოლოგია : Standard
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 100V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 3A
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 4-SIP, KBP
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBP

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TB8S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 800V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=800V IF(AV)=1A

    • GBU8D-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp Glass Passivated

    • KBP408G-BP

      Micro Commercial Co

      BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBP. Bridge Rectifiers 4A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

    • DB107-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB. Bridge Rectifiers VR=1000V, IO=1A

    • CBR1U-D010S

      Central Semiconductor Corp

      BRIDGE RECT 1P 100V 1A 4SMDIP.

    • GBPC1208W-E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 800V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 12 Amp Glass Passivated