Vishay Semiconductor Diodes Division - G3SBA60-5410M3/51

KEY Part #: K6541170

[12464ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    G3SBA60-5410M3/51
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF and ტირისტორები - TRIACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G3SBA60-5410M3/51 electronic components. G3SBA60-5410M3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G3SBA60-5410M3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    G3SBA60-5410M3/51 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : G3SBA60-5410M3/51
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Single Phase
    ტექნოლოგია : Standard
    ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2.3A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 2A
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBU
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBU

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • KBP408G-BP

      Micro Commercial Co

      BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBP. Bridge Rectifiers 4A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

    • DB107-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB. Bridge Rectifiers VR=1000V, IO=1A

    • DF204S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DFS. Bridge Rectifiers DFS GPP 2A 400V Rect. Bridge Diode

    • CBR1U-D010S

      Central Semiconductor Corp

      BRIDGE RECT 1P 100V 1A 4SMDIP.

    • TSS4B01GHC2G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 50V Sup Fst Rec Rect

    • TSS4B04G D2G

      Taiwan Semiconductor Corporation

      BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 50ns 4A 400V Hi Eff Rec Brd Rect